一种氮化镓器件及氮化镓封装结构及方法与流程

本发明属于半导体材料技术领域，尤其涉及一种氮化镓器件及氮化镓封装结构及方法。

背景技术：

目前，最接近的现有技术：半导体材料氮化镓具有禁带宽带大、电子饱和漂移速度高、击穿场强度高、导热性能好等特点。在电子器件方面，氮化镓材料比硅和砷化镓更适合于制造高温、高频、高压和大功率器件，因此氮化镓基电子器件具有很好的应用前景。

由于氮化镓异质结构中存在较强的二维电子气，通常采用氮化镓异质结构形成的高电子迁移率晶体管属于耗尽型器件。在许多地方耗尽型器件的应用具有一定的局限性。氮化镓器件需要重金属以及在高温条件下制备，使得器件与传统的硅工艺不兼容。并且在高温欧姆退火过程中，器件表面将会被氧化，这会导致表面态的产生。这些表面陷阱会俘获电子，使得器件在动态开关过程中会产生较大动态电阻。

目前的氮化镓器件的封装一般是将芯片固定在金属座后，芯片上的电连接区域通过金属线和基岛旁边的引线框架的引脚连接，再将芯片和基岛、引线框架等一起通过环氧树脂等材料封装固定。此种封装结构最终会将芯片、基岛、金属线的全部结构，以及引线框架的大部分结构封装在内，只留下外部的一些引脚，厚度一般都比较厚，不利于向集成度更高的方向发展；同时现有的氮化镓器件在使用过程中，需要设置额外的引脚，增加了封装体积，不方便进行安装；并且各个引线之间有交叉，影响以后的维护维修。

综上所述，现有技术存在的问题是：

(1)现有的氮化镓器件在使用过程中，需要设置额外的引脚，增加了封装体积；并且各个引线之间有交叉，影响以后的维护维修。

(2)目前的氮化镓器件的封装厚度一般都比较厚，不便于进行安装。

技术实现要素：

针对现有技术存在的问题，本发明提供了一种氮化镓器件及氮化镓封装结构及方法。

本发明是这样实现的，一种氮化镓器件设置有：

氮化镓芯片；

所述氮化镓芯片下端贴敷有第一引线框架，第一引线框架下端贴敷有金属板，第一印线框架右侧设置有贴敷在金属板上侧的第二引线框架，第二引线框架上端贴敷有硅芯片；

所述氮化镓芯片和硅芯片上端均一体连接有多个凸起，凸起分别与氮化镓芯片和硅芯片的各个电极连接，氮化镓芯片和硅芯片上表面均贴敷有绝缘保护层，绝缘保护层表面开设有多个通孔，通孔套设在对应的凸起外侧。

进一步，所述氮化镓芯片的源极凸起与硅芯片的漏极凸起分别与第一引线框架连接，氮化镓芯片的栅极凸起和硅芯片的源级凸起分别与第二引线框连接。

进一步，所述第一引线框架和第二引线框架的中间粘贴有绝缘层。

本发明的另一目的在于提供一种氮化镓封装结构，所述氮化镓封装结构设置有：

基座；

所述基座上端胶接有固定槽，固定槽内侧放置有氮化镓器件，固定槽上端铺设有填充层，填充层上端铺设有盖板，盖板与固定槽边沿胶接；

所述固定槽边沿嵌装有多条引线，引线与固定槽内部氮化镓器件的电极连接，引线外端连接有引脚条。

进一步，所述基座下侧粘接有散热板，散热板下端中间开设有多段空隙。

进一步，所述引脚条外端开设有连接孔，连接孔上端外周焊接有环形围板，用于避免焊接时的锡珠外溢。

进一步，所述填充层为软性导热硅胶片，厚度为1.2—0.005mm到1.2+0.005mm，使用温度为30摄氏度到230摄氏度。

进一步，所述软性导热硅胶片上开有通孔。

进一步，所述绝缘保护层为聚酯薄膜，薄膜厚度范围为：0.06-0.003mm到0.06+0.003mm。

本发明的另一目的在于提供一种用于氮化镓封装结构的氮化镓封装方法，所述氮化镓封装方法包括以下步骤：

(1)将氮化镓芯片和硅芯片分别贴敷在第一引线框架和第二引线框架上端，将第一引线框架和第二引线框架间隔贴敷在金属板表面；

(2)在氮化镓芯片和硅芯片的上表面铺设绝缘保护层，绝缘保护层的多个通孔分别套设在氮化镓芯片和硅芯片的对应凸起外侧，完成氮化镓器件的组装；

(3)将组装完成的氮化镓器件放置在固定槽内侧，将氮化镓器件的多个凸起电极与外侧引线连接；

(4)在氮化镓器件上表面铺设填充层，填充层上侧盖设盖板，在盖板与固定槽边沿的缝隙之间填充树脂密封固定。

综上所述，本发明的优点及积极效果为：本发明中的化镓芯片和硅芯片通过凸设的金属凸起作为电极，用于与外界电连接，不需要额外设置引脚，减小了封装体积，便于安装，不但避免了各个引线指之间会有交点，而且解决了封装后的氮化镓器件的电极管脚的排列顺序不兼容的问题。通过氮化镓封装结构的作用将芯片封闭在装置的内部，操作简单方便，加强氮化镓器件安装的密封性；填充物和的面积均大于芯片，方便将芯片进行封闭，对芯片进行保护和防尘，将散热板设置在基座的下表面，加强对芯片、填充物等内部零件进行散热。

本发明中聚酯薄膜表面平整光洁，无颗粒、气泡、褶皱和导电杂质以及表面赃物(如污垢、油渍)，不存在超过偏差范围的鱼眼，并且薄膜边缘应整齐无破损。同时本发明中硅胶片是高阶导热性质，超高耐电压，高可靠度，超高填充量垫片兼具强度与高变形量，高压缩及回弹性，软性导热硅胶片柔软自黏，容易施工，已控制的低渗油适合高效率高发热设备使用。

附图说明

图1是本发明实施例提供的氮化镓器件结构示意图。

图2是本发明实施例提供的氮化镓封装结构结构示意图。

图3是本发明实施例提供的固定槽结构示意图。

图中：1、氮化镓芯片；2、第一引线框架；3、金属板；4、第二引线框架；5、硅芯片；6、凸起；7、绝缘保护层；8、绝缘层；9、基座；10、散热板；11、固定槽；12、填充层；13、盖板；14、固定槽边沿；15、引线；16、引脚条；17、连接孔；18、空隙。

图4是本发明实施例提供的氮化镓封装方法流程图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

如图1所示，本发明实施例提供的氮化镓器件包括：氮化镓芯片1、第一引线框架2、金属板3、第二引线框架4、硅芯片5、凸起6、绝缘保护层7、绝缘层8。

氮化镓芯片1下端贴敷有第一引线框架2，第一引线框架2下端贴敷有金属板3，第一印线框架2右侧设置有贴敷在金属板3上侧的第二引线框架4，第二引线框架4上端贴敷有硅芯片5；氮化镓芯片1和硅芯片5上端均一体连接有多个凸起6，凸起6分别与氮化镓芯片1和硅芯片5的各个电极连接，氮化镓芯片1和硅芯片5上表面均贴敷有绝缘保护层7，绝缘保护层7表面开设有多个通孔，通孔套设在对应的凸起外侧。

在本发明实施例中，氮化镓芯片1的源极凸起与硅芯片的漏极凸起分别与第一引线框架2连接，氮化镓芯片的栅极凸起和硅芯片的源级凸起分别与第二引线框连接。

在本发明实施例中，第一引线框架2和第二引线框架4的中间粘贴有绝缘层9。

在本发明实施例中，绝缘保护层7为聚酯薄膜，薄膜厚度范围为：0.06-0.003mm到0.06+0.003mm。

在本发明实施例中，绝缘层8为橡胶减震垫，橡胶减震垫的基本尺寸为85×85×20mm，厚度为8mm-12mm，承载范围为0.3kn-6kn。

如图2和图3所示，本发明实施例提供的氮化镓封装结构包括：基座9、散热板10、固定槽11、填充层12、盖板13、固定槽边沿14、引线15、引脚条16、连接孔17、空隙18。

基座9上端胶接有固定槽11，固定槽11内侧放置有氮化镓器件，固定槽11上端铺设有填充层12，填充层12上端铺设有盖板13，盖板13与固定槽边沿14胶接；固定槽边沿14嵌装有多条引线15，引线15与固定槽11内部氮化镓器件的电极连接，引线15外端连接有引脚条16。

在本发明实施例中，基座9下侧粘接有散热板10，散热板10下端中间开设有多段空隙18。

在本发明实施例中，引脚条16外端开设有连接孔17，连接孔17上端外周焊接有环形围板，用于避免焊接时的锡珠外溢。

在本发明实施例中，填充层12为软性导热硅胶片，厚度为1.2—0.005mm到1.2+0.005mm，使用温度为30摄氏度到230摄氏度；其中，软性导热硅胶片上开有通孔。

如图4所示，本发明实施例提供的氮化镓封装方法包括以下步骤：

s101：将氮化镓芯片和硅芯片分别贴敷在第一引线框架和第二引线框架上端，将第一引线框架和第二引线框架间隔贴敷在金属板表面。

s102：在氮化镓芯片和硅芯片的上表面铺设绝缘保护层，绝缘保护层的多个通孔分别套设在氮化镓芯片和硅芯片的对应凸起外侧，完成氮化镓器件的组装。

s103：将组装完成的氮化镓器件放置在固定槽内侧，将氮化镓器件的多个凸起电极与外侧引线连接。

s104：在氮化镓器件上表面铺设填充层，填充层上侧盖设盖板，在盖板与固定槽边沿的缝隙之间填充树脂密封固定。

本发明实施例提供的s104中填充树脂制备方法，如下：

填充树脂成分为：环氧树脂、氧化锌、玻璃纤维、炭黑、三元共聚物、消泡剂、活性稀释剂。

将环氧树脂在一定温度和搅拌速度下，进行搅拌混合；在搅拌混合过程中，加入一定量的消泡剂、活性稀释剂；

搅拌一定时间后，加入一定量的氧化锌、玻璃纤维、炭黑和三元共聚物进行均匀搅拌混合。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。