据悉大基金与湖北地方政府资金已于二月底到位,武汉新芯将于本月 28 日举行动土仪式,并已发出邀请函,从邀请函内容显示,新的厂区将落户于武汉东潮新技术开发区,投资总金额高达 240 亿美元,外传武汉新芯将先兴建 12 寸 DRAM 厂,然根据科技新报取得的消息,武汉新芯将先行建造 Flash 厂,同样生产 NOR 型 Flash,并逐步移转至 NAND Flash 产品,甚至 3D NAND Flash,最终目标产能 30 万片。
从 3D NAND Flash 弯道超车的野心
从武汉新芯近期的布局或可看出端倪,2015 年 5 月,武汉新芯才与 NOR 记忆体厂商飞索半导体(Spansion)签订合作协议与交叉授权发展 3D NAND Flash 技术。从武汉新芯财务长陈少民、营运长洪沨近期出席上海 SEMICON China 与厦门 2015 集成电路产业促进大会的谈话,主轴同样绕在 Flash 产业的布局。
武汉新芯财务长陈少民在 15 日才开幕的上海 SEMICON China 记忆体产业发展论坛上即指出,“日本抓住了 DRAM 发展机遇,韩国抓住了 DRAM 和 NAND 发展机遇,两国都成为了记忆体行业的领头羊。如今 3D NAD 技术兴起,十三五规划又将半导体作为发展重点,我们正谓正好走到了一个发展的‘风口’势必把握这一机会。”洪沨早前也称,3D NAND Flash 将成为中国记忆体晶片产业弯道超车的切入点。武汉新芯、中国的记忆体布局或将从 Flash 展开。
外资 RBC Capital Markets 分析师 Amit Daryanani 近期的报告即发出忧心,在业者纷纷转进 3D NAND Flash 下,平均销售价格(ASP)将被拉低,甚至可能出现价格暴跌的情形,使得部分厂商陷入困境。3D NAND Flash 未来是否会掀起一场价格血雨同样令人关注。