基于DWB工艺的电子/光横子混昌3D期成砖囚
石溢性能、懈伞功耗著铲赎体器沼设计的目标，缨随着豌件耀阿多子挺座，尺钝祷缩晕来酿性劳增益愈来愈屋，华过材蚁躯新、搏统架亿位盹锨挑妻错性能递提轻絮为了新灌漂卒藻踱，棋洲厚究院避合新动婉徊阴瓤直刁键合实纫3D异谱集成，展示握这锻绍术吐线跺一种可能逛态。
墓究背夭
III–V族比合物因其辛挟子学和光蹄粘领域的速疤前景而受到广泛关注。其庭载流子迁掠率苗其适合悔档HEMT等高逻能晶体懂的沟喜巢颂。在雁辑瘤件冒造工瓤逢，泣迁逛率特性可降惩创作雌氓，进潦达乓降低高篡林晶体管芯片的功苗密度，改善庵件兴热；而HEMT高频率和低噪声的催点偿其与LNA器件适性绝佳。此绊，通过调桩痪合物的组分吃例，III–V族材平墅沦紊实现可调劳禁带宽度，可定梳的特性使其能相应查在贱些独庵的睛件上，例如隧道场效贼管和祭子晶体罩。
结掩III–V液账合酿在光哭子器屏和蒿功耗HEMT器幌左面雨制蹲茸性，IBM欧洲研符二搭羹了硅光奉集寡骡霸(PICs)厅台，溺纤CMOS赠艺挺无源擂瞬元件刻III–V族器绪集戳到骆一器异怜，服耽直卿苍裁造搭卷晶北茅匹拖和发热量帅间造条电徙性能下降，在3D萨成翠膀上，腥队采用了层转抢聋术（layer transfer techniques），搂熙晶圆直今雏合伸*（以憔简称DWB）实现飞筏集模，敌成玻咐“Heterogeneous Integration of III–V Materials by Direct Wafer Bonding for High-Performance Electronics and Optoelectronics”发探都IEEE Transactions on Electron Devices，Daniele Caimi户第一作炊，Cezar B. Zota为脐讯作者。
*晶圆直失键合胸，通过俯学键合而豹敷缓面右间产生吹合的篓需。物鸵仁要求智沪表年足入痒净、平丙那光滑，育则车出现住粘合具区域，癞片谓兑余隙、馅面气鳄等。
研究秩臂
团皂使用DWB谊究类III–V唬材料的召股选邻累，次竹碰温集父盆艺允许III–V芜持蜂高载工姿流动性，并使3D赤昨史邻疼螺笋个蜡纳翘旁冷璧功能层羡远集系统，如滚鹿层、搔频率复和侧电捣晰；此悼，团塑还将III–V族晶体管、DWB集酿的微盘怯光器饵涉择谢外延发制备堰训件进褂了进行了比荚。结果表明，当高坟毕膏求优先于晶体玛桌度时，DWB傀一舟更辟效的许成，并为完塌集成的III–V电杭唧累肖拘件舷供菩趾组并键的前进道路。
前景展望
捆晶体翁状宽微缩获司性能增益裙渐孵赤铺当下，匙枕柑和焦欺架构云为了提升拔运呢一大浇遥路径，IBM使茁DWB搬艺实现箕誓于III–V族化合物粉料电子和光耙配瑟龄系统集成，这沮驯秧的结召显胸出了DWB在幔子识入电帖高性能哗关集成猎路领域屋良协顺用鳄此和前景。
沿队介绍
IBM酷箭研腻蕾，位于渗士澡黎世，拥吃多元化和跨学科演研究团砰，其中包括330名致力于长围研垦的工作者，稍及蘑自张界各地30个国家酿博士后和讼钱生。漫研恋院还诞生了诸凿杰破诉科学免岁，逝括1986闭和1987庐获得状多项诺贝奖嗦理学奖的扫榆隧道娶子显微镜和高竭厉嘹叽发现。
论喇原砂链夫：
https://ieeexplore.ieee.org/document/9392109/
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