同质外延氮化镓衬底处理方法及氮化镓衬底与流程

本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种同质外延氮化镓衬底处理方法及氮化镓衬底。

背景技术：

相比于现有异质外延氮化镓(gan)hemt(highelectronmobilitytransistor，高电子迁移率晶体管)器件，同质外延gan具有低位错密度，低电流崩塌、高可靠性和高击穿的优势。但是，由于gan衬底表面易吸附杂质，常规同质外延ganhemt存在副沟道，器件漏电很大。

目前低漏电同质外延ganhemt器件结构均采用引入杂质补偿或者高温刻蚀工艺抑制副沟道，降低泄漏电流。但是，这些结构均未缓解衬底表面不平整，或者会加大不平整度，硅si的吸附面积依然很大，暴漏在空气中依然会吸附si，副沟道效应改善有限。

技术实现要素：

有鉴于此，本发明实施例提供了一种同质外延氮化镓衬底处理方法及氮化镓衬底，以解决现有技术中因衬底表面不平整而造成副沟道效应的问题。

本发明实施例的第一方面提供了一种同质外延氮化镓衬底处理方法，包括：

在氮化镓衬底外延生长异质结前，对所述氮化镓衬底进行干法刻蚀工艺处理，且刻蚀角度不等于90度，所述刻蚀角度为所述氮化镓的等离子体加速方向与所述氮化镓衬底的夹角角度。

本发明实施例的第二方面提供了一种氮化镓衬底，所述氮化镓衬底根据上述同质外延氮化镓衬底处理方法处理得到。

本发明实施例提供的同质外延氮化镓衬底处理方法在氮化镓衬底外延生长异质结前，对所述氮化镓衬底进行干法刻蚀工艺处理，且刻蚀角度不等于90度，所述刻蚀角度为所述氮化镓的等离子体加速方向与所述氮化镓衬底的夹角角度。本发明实施例能够通过斜角干法刻蚀工艺，缓解gan衬底表面不平整特性，减小硅的吸附面积，抑制副沟道效应。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供的无斜角刻蚀工艺处理衬底时的衬底示意图；

图2是本发明实施例提供的斜角刻蚀工艺处理前的衬底示意图；

图3是本发明实施例提供的斜角刻蚀工艺处理后的衬底示意图；

图4是本发明实施例提供的两次干法刻蚀工艺处理的刻蚀角度示意图。

具体实施方式

以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、技术之类的具体细节，以便透彻理解本发明实施例。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本发明。在其它情况中，省略对众所周知的系统、装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本发明的描述。

本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“包括”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含一系列步骤或单元的过程、方法或系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。此外，术语“第一”、“第二”和“第三”等是用于区别不同对象，而非用于描述特定顺序。

为了说明本发明所述的技术方案，下面通过具体实施例来进行说明。

实施例1：

本发明的一个实施例提供了一种同质外延氮化镓衬底处理方法，其过程详述如下：

在氮化镓衬底外延生长异质结前，对所述氮化镓衬底进行干法刻蚀工艺处理，且刻蚀角度不等于90度，所述刻蚀角度为所述氮化镓的等离子体加速方向与所述氮化镓衬底的夹角角度。

目前低漏点同质外延ganhemt器件结构均采用引入杂质补偿或高温刻蚀工艺抑制副沟道，降低泄露电流，但是，这种方法得到的结构均未缓解衬底表面不平整，如图1所示，图1中的1表示氮化镓衬底，2表示沟道层，3表示势垒层，4处的圆点表示主沟道电子，5处的圆点表示副沟道电子。如图1所示，氮化镓衬底与沟道层相邻的表面存在凹凸不平的现象，图1中的圆点表示电子，可由图1查看出副沟道电子的分布情况。

在本实施例中，图2示出了未进行本申请中衬底处理方法前的衬底示意图，如图2所示，衬底未处理前，衬底表面凹凸不平。为了解决氮化镓衬底表面不平整的问题，本申请在氮化镓衬底生长异质结前，对氮化镓衬底进行干法刻蚀工艺处理，并且进行干法刻蚀工艺处理时，氮化镓等离子体的加速方向不与氮化镓衬底表面垂直。

图3示出了根据本申请所述的方法得到的氮化镓衬底示意图，如图3所示，经过本申请中斜角刻蚀后的氮化镓衬底表面平整，且可以由图3查看出经斜角刻蚀处理后电子的分布情况，副沟道电子在衬底表面分布均匀。

在一个实施例中，对所述氮化镓衬底进行干法刻蚀工艺处理具体包括：

对所述氮化镓衬底进行至少一次的干法刻蚀工艺处理。

在一个实施例中，所述刻蚀角度满足：0°<a<180°，其中，a表示刻蚀角度。

在一个实施例中，对所述氮化镓衬底进行至少两次的干法刻蚀工艺处理，且每次干法刻蚀工艺的刻蚀角度不同。

在本实施例中，对氮化镓衬底可进行多次的干法刻蚀工艺处理。且每次干法刻蚀时的刻蚀角度可以相同，也可以不同。

在一个实施例中，所述刻蚀角度满足：30°≤a≤60°，其中，a表示刻蚀角度。

在一个实施例中，所述刻蚀角度满足：120°≤a≤150°，其中，a表示刻蚀角度。

在一个实施例中，所述干法刻蚀工艺包括电感耦合等离子体刻蚀工艺。

在本实施例中，干法刻蚀工艺可以为电感耦合等离子体icp刻蚀工艺。

在一个实施例中，所述干法刻蚀工艺包括反应离子刻蚀工艺。

在本实施例中，干法刻蚀工艺还可以为反应离子rie刻蚀工艺。

在一个实施例中，在干法刻蚀工艺处理后，对所述氮化镓衬底进行湿法腐蚀处理。

具体地，在两次干法刻蚀工艺处理之间，对氮化镓衬底进行湿法腐蚀处理。

本实施例提供的同质外延氮化镓衬底处理方法能够有效的缓解氮化镓衬底表面不平整的特性，减小硅的吸附面积，抑制副沟道效应。

在一个实施例中，所述氮化镓衬底根据上述同质外延氮化镓衬底处理方法处理得到。

在本实施例中，通过上述斜角干法刻蚀工艺得到的氮化镓衬底，衬底表面相较平整，能够减少硅的吸附面积，抑制副沟道效应。

在本发明的一个实施例中，作为一个具体的实施例，对同质外延氮化镓衬底处理方法如下：

在氮化镓衬底外延生长异质结前，对氮化镓衬底进行一次干法刻蚀工艺处理，且等离子体加速度方向与衬底表面的刻蚀角度大于0度且小于180度，并且不等于90度。

具体地，刻蚀角度为大于等于30度且小于等于60度的角，或者是大于等于120度，小于等于150度的角。优选地，刻蚀角度为60度角。

本申请一次干法刻蚀工艺可以为icp刻蚀工艺，并在一次干法刻蚀工艺后进行湿法腐蚀。

在本发明的一个实施例中，作为另一个具体的实施例，在进行氮化镓衬底外延生长异质结前，可以对氮化镓衬底进行两次干法刻蚀工艺处理，两次刻蚀均保持刻蚀角度大于0度且小于180度，并且不等于90度。

进一步地，如图4所示，图4示出了刻蚀工艺处理过程中刻蚀角度示意图，图4a为第一次刻蚀处理的示意图，图4b为第二次刻蚀处理的示意图。

图4中角度a’为第一次刻蚀角度，角度a”为第二次刻蚀角度，两次刻蚀角度不同，且第一次刻蚀角度和第二次刻蚀角度相加等于180度。优选地，第一次刻蚀角度可以为60度，第二次刻蚀角度可以为120度。

本次对氮化镓衬底进行处理可以采用rie刻蚀工艺，且两次干法刻蚀工艺中间可以进行一次湿法腐蚀工艺。

在本发明的一个实施例中，作为又一个具体的实施例，在氮化镓衬底生长异质结之前，还可以对氮化镓衬底进行3次干法刻蚀工艺处理，其中前两次保持氮化镓衬底与等离子体加速方向的刻蚀角度大于0度且小于180度，并且不等于90度，最后一次干法刻蚀角度保持刻蚀角度为90度。

具体地，第一次刻蚀角度可以为45度，第二次刻蚀角度可以为135度，第三次刻蚀角度可以为90度。

本实施例采用的干法刻蚀工艺可以为rie干法刻蚀工艺，也可以为icp干法刻蚀工艺。

进一步地，在第一次干法刻蚀和第二次干法刻蚀工艺之间可以进行一次湿法腐蚀，在第二次干法刻蚀和第三次干法刻蚀之间可以进行一次湿法腐蚀，在第三次干法刻蚀工艺之后，还可以对氮化镓衬底进行一次湿法腐蚀工艺处理。

以上所述实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本发明的保护范围之内。