一种砷化镓基的二极管器件结构及制作方法与流程

技术特征：

1.一种砷化镓基的二极管器件结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

在逐层外延生长的n+型砷化镓、i型砷化镓和p+型砷化镓的衬底上制作p型欧姆接触金属，p型欧姆接触金属和p+型砷化镓相连接；

采用蚀刻液蚀刻i型砷化镓和p+型砷化镓到预设的深度和宽度，形成p型台面；

在p型台面外的n+型砷化镓上制作n型欧姆接触金属，n型欧姆接触金属与n+型砷化镓相连接；

在p型台面和n型欧姆接触金属外侧的区域蚀刻n+型砷化镓到预设的深度和宽度，形成n型台面；

沉积第一氮化物层，在p型欧姆接触金属和n型欧姆接触金属上蚀刻出通孔；

制作p型连接金属、n型连接金属和下极板，p型连接金属通过第一氮化物层在p型欧姆接触金属上的通孔与p型欧姆接触金属连接，n型连接金属通过第一氮化物层在n型欧姆接触金属上的通孔与n型欧姆接触金属连接，下极板在n型台面外侧的区域上并作为电容的下极板；

沉积第二氮化物层，在p型连接金属、n型连接金属上蚀刻出通孔，覆盖在下极板上的第二氮化物层也作为电容的介电层；

覆盖聚酰亚胺层，并在p型欧姆接触金属和下极板上蚀刻出通孔；

覆盖桥墩光阻，在p型连接金属和下极板上的区域进行显影，并作为两侧桥墩的底部，保留显影后的桥墩光阻，在桥墩光阻上沉积种子层金属；

覆盖桥面光阻，对两侧桥墩及之间桥面的区域进行显影，沉积空气桥金属到桥墩和桥面处，并去除桥面光阻与桥墩光阻，得到空气桥，空气桥金属也作为电容的上极板。

2.根据权利要求1所述的一种砷化镓基的二极管器件结构的制作方法，其特征在于，所述p型台面或者n型台面采用二次蚀刻方式。

3.根据权利要求1或2所述的一种砷化镓基的二极管器件结构的制作方法，其特征在于，采用电流法监控蚀刻的深度及宽度，所述电流法包括如下步骤：

在两个欧姆接触金属上加入电压并使其构成一个闭合的电路，采用探针检测出电路的测试电流；

测试电流达到目标电流，说明蚀刻的深度及宽度符合要求；

测试电流低于目标电流，说明蚀刻的深度及宽度不符合要求。

4.根据权利要求1所述的一种砷化镓基的二极管器件结构的制作方法，其特征在于，所述蚀刻液为磷酸/过氧化氢系的蚀刻液。

5.根据权利要求1所述的一种砷化镓基的二极管器件结构的制作方法，其特征在于，所述p型欧姆接触金属的结构为钛、金和铂。

6.根据权利要求1所述的一种砷化镓基的二极管器件结构的制作方法，其特征在于，所述n型欧姆接触金属的结构为锗金、金和镍。

7.根据权利要求1所述的一种砷化镓基的二极管器件结构的制作方法，其特征在于，在覆盖聚酰亚胺时，还包括如下步骤：

对聚酰亚胺层进行高温烘烤。

8.根据权利要求1所述的一种砷化镓基的二极管器件结构的制作方法，其特征在于，去除桥面光阻时，还包括步骤：

对桥面光阻进行全曝光，显影后去除桥面光阻。

9.一种砷化镓基的二极管器件结构，其特征在于，所述砷化镓基的二极管器件结构由权利要求1至8任意一项所述的制作方法制得。

10.一种砷化镓基的二极管器件结构，其特征在于，所述砷化镓基的二极管器件结构包括：衬底上设有逐层外延生长的n+型砷化镓、i型砷化镓和p+型砷化镓；衬底上设置有n型台面，n型台面为n+型砷化镓，n型台面上设置有p型台面和n型欧姆接触金属，n型欧姆接触金属在p型台面的外侧，p型台面为i型砷化镓和p+型砷化镓，p型台面上设置有p型欧姆接触金属；n型台面外的衬底的面上设置有下极板；

p型欧姆接触金属上设置有p型连接金属，n型欧姆接触金属上设置有n型连接金属，以p型欧姆接触金属和下极板为空气桥的桥墩位置上设置有种子层金属，种子层金属与p型连接金属相连接、介电层相连接，空气桥金属覆盖在种子层金属上作为空气桥的主体部分，同时空气桥金属也作为电容的上极板，种子层金属和空气桥金属组成空气桥；

在p型台面与n型欧姆接触金属之间、n型欧姆接触金属与下极板之间设置有氮化物层，覆盖在下极板上的氮化物层作为电容的介电层；在空气桥的桥墩之间也设置有聚酰亚胺层，聚酰亚胺层在氮化物层上。