氮化镓晶体管的制造方法与流程

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技术特征:

技术总结
本发明提供了一种氮化镓晶体管的制造方法,该方法包括:在硅衬底上依次生长氮化铝层、氮化镓缓冲层、铝镓氮势垒层及氮化镓帽层;在氮化镓帽层上依次沉积氮化硅钝化层及氧化层;制造氮化镓晶体管的源极和漏极;制造氮化镓晶体管的栅极,抑制了衬底漏电,减少了寄生电阻和寄生电容,从而减小了器件的功耗。

技术研发人员:刘美华;孙辉;林信南;陈建国
受保护的技术使用者:北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
技术研发日:2016.03.25
技术公布日:2017.10.03
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