一种用于盐田TGC结晶工艺的制作方法

一种用于盐田tgc结晶工艺
技术领域
1.本发明涉及无机盐结晶技术领域中的盐田结晶工艺技术。


背景技术：

2.目前海盐生产过程中，饱和卤水蒸发与结晶是同在结晶池内完成的，由于海盐结晶过程中，卤水过饱和度越低，产品质量就越好，而现行的生产工艺，只能通过增加卤水深度来降低过饱和度，由于我国自然条件的限制结晶池卤水不能放的太深、盐层也不能太厚，且目前的结晶工艺人力辅助性操作也太多，导致劳动生产率太低，致使我国海盐质量和成本至今仍与国际先进水平有着明显差距。


技术实现要素：

3.本发明解决的问题在于提供一种用于盐田tgc结晶工艺，通过控制饱和卤水的循环速度即可控制进床卤水的过饱和度，进而提高产品的质量，所以此工艺在卤水很浅的情况下，同样能获得高质量的产品盐，特别是卤水中的不溶物和硫酸钙大多会沉积在饱和卤水蒸发池内，极少混入产品中，因而产品盐的化学指标特别是白度能达到精制盐水平；且解决了目前的结晶工艺，人工操作较多，导致生产成本太高的难题。
4.为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：
5.一种用于盐田tgc结晶工艺，该工艺的具体操作步骤如下：
6.在饱和卤水蒸发池生成的过饱和卤水，通过卤水入口进入池旁的结晶池面积3％的固定床床体内，自上而下，渗透过盐种层和网栅结构进入集卤通道，在水泵的抽吸下流向水泵坑，最后由水泵打入出水池，且通过出水池的出水口流入过饱和卤水蒸发池继续蒸发；固定床内的盐，通过卷扬机牵引的活碴器在网栅结构上沿着床体的轨道往返移动，不时被松动，其表层的产品盐将被推向水泵坑，由泵打入出水池临时储存，然后由盐浆泵将产品盐输送至坨地储存。
7.进一步，所述固定床安装在过饱和卤水蒸发池旁，且过饱和卤水蒸发池内设有隔埝。
8.进一步，所述出水口安装有防倒灌闸门。
9.进一步，所述固定床包括床体和网栅结构，所述床体两端均设置有卤水入口，所述网栅结构水平安装在床体的中间层，所述网栅结构底部设置为集卤通道。
10.进一步，所述卤水入口处安装有单向拍门闸。
11.进一步，所述网栅结构包括横木梁、竹片顺梁、网栅和斜拉钢板条，所述横木梁顶部设置为竹片顺梁，所述竹片顺梁顶部设置有网栅，所述网栅顶部设置为斜拉钢板条。
12.进一步，所述活碴器包括架体、行走轮、第一定位板、第二定位板、推架、推盐板、活碴辊、盐层限厚板和第三定位板；
13.所述架体顶部四周均安装有行走轮，所述竖梁前端两侧均安装有第一定位板，所述竖梁两侧中部安装有第二定位板，后端两侧均安装有第三定位板；
14.所述第一定位板与推架中部托接；
15.所述推架一端安装有连接块，且连接块外侧开设有竖直第一滑槽，推盐板两端安装在第一滑槽内，推架另一端与第二定位板连接固定；
16.所述第二定位板上开设有第二滑槽，所述活碴辊两端安装在第二滑槽内；
17.盐层限厚板两端安装在第三定位板上，所述第三定位板开设有第三滑槽，与架体相连以调整盐层限厚板的高度。
18.进一步，所述架体中间两端均安装有竖梁，所述两端竖梁之间安装有拖带板，拖带板与卷扬机的绳索相连。
19.本发明的有益效果是：过饱和卤水蒸发池只用于饱和卤水的蒸发，结晶过程则在固定床内完成，固定床内放置有盐种，在结晶过程中会很快固结成一个整体，阻止过饱和卤水的通过，使结晶过程中断，通过活碴器在固定床内的轨道上往返运行，不断破碎盐碴，并用前端的推盐版，把产品推向固定床的水泵端，使其进一步集中，便于将产品送往储存地点坨地。
20.卤水过饱和度形成的快慢与卤水蒸发速度有直接的关联，通过水位传感器测定的池内水位变化状况，决定循环水泵和盐浆泵运行起始时间和运行时长，反之通过改变卤水的循环速度即可控制卤水过饱和度的高低，因而即便结晶池卤水较浅，依旧能保证产品质量，并实现自动化和智能化，所以能进一步提高劳动生产率并大幅度降低成本。
附图说明
21.图1为本发明工艺流程图；
22.图2为本发明床体和网栅结构结构示意图；
23.图3为本发明活碴器结构示意图；
24.图4为本发明网栅结构剖视图。
25.图例说明：
26.1、架体；2、行走轮；3、竖梁；4、拖带板；5、第一定位板；6、第二定位板；7、推架；8、推盐板；9、活碴辊；10、盐层限厚板；11、第三定位板。
具体实施方式
27.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
28.下面给出具体实施例。
29.参见图1～图4，一种用于盐田tgc结晶工艺，，该工艺的具体操作步骤如下：
30.在饱和卤水蒸发池生成的过饱和卤水，通过卤水入口进入固定床的床体内，自上而下，渗透过盐种层和网栅结构进入集卤通道，在水泵的抽吸下流向水泵坑，最后由水泵打入出水池，且通过出水池的出水口流入过饱和卤水蒸发池继续蒸发，固定床内的盐，通过卷扬机牵引的活碴器在网栅结构上沿着床体的轨道往返移动，不时被松动，其表层的产品盐将被推向水泵坑，由泵打入出水池临时储存，然后由盐浆泵将产品盐输送至坨地储存。
31.作为本发明的一种实施方式，固定床安装在过饱和卤水蒸发池旁，且过饱和卤水蒸发池内设有隔埝，将固定床内排出的卤水送至过饱和卤水蒸发池远端。
32.作为本发明的一种实施方式，出水口安装有防倒灌闸门，为了避免遇雨时，池面雨水倒灌。
33.作为本发明的一种实施方式，固定床包括床体和网栅结构，床体两端均设置有卤水入口，床体中间安装有网栅结构，用以承载盐种层的重量，网栅结构底部设置有集卤通道。
34.作为本发明的一种实施方式，卤水入口处安装有单向拍门闸，以避免进入固定床的卤水倒流至饱和卤水蒸发池，增加进水口的进水负荷。
35.作为本发明的一种实施方式，网栅结构包括横木梁、竹片顺梁、网栅和斜拉钢板条，横木梁顶部设置为竹片顺梁，竹片顺梁顶部设置有网栅，网栅顶部设置为斜拉钢板条。
36.作为本发明的一种实施方式，活碴器包括架体1、行走轮2、第一定位板5、第二定位板6、推架7、推盐板8、活碴辊9、盐层限厚板10和第三定位板11。
37.架体1顶部四周均安装有行走轮2，竖梁3一端两侧均安装有第一定位板5，竖梁3两侧中部安装有第二定位板6，竖梁3另一端两侧均安装有第三定位板11。
38.第一定位板5托接着推架7中部，推架7一端安装有连接块，且连接块外侧开设有竖直第一滑槽，推盐板8两端安装在第一滑槽内。推架另一端固定在第二定位板6上。
39.第二定位板6上开设有第二滑槽，活碴辊9两端安装在第二滑槽内，以便于根据实际情况对活碴辊9的高度进行调整。
40.盐层限厚板10两端安装在第三定位板上，第三定位板11开设有第三滑槽与架体1相连，以便调整盐层限厚板10的高度。
41.作为本发明的一种实施方式，架体1顶侧中部两端均安装有竖梁3，两端竖梁3之间安装有拖带板4，且拖带板4与卷扬机的绳索相连，以平衡行前后行走轮2的承载负荷，防止拖带过程中活碴器一端翘起。
42.控制器的工作原理与过程：
43.用水位传感器随时测量饱和卤水蒸发池的水位，并向可编程序控制器不断测量发送讯号；
44.可编程序控制器可以预设蒸发面积m、水泵流量值、卤水初始深度h0，卤水的过饱和度
△
c、活碴器开机等待时间
△
t
h
、盐浆泵开启时间间隔
△
t
yj
、盐浆泵单次运行时间
△
t
ys
等；
45.饱和卤水蒸发池灌池或加卤后，当卤水达到饱和时定为初始深度h0，接收来自卤水蒸发时位移传感器传来的水位变化信号，当水位降低到按如下公式计算达到h1时，
△
h1＝0.0133
△
ch0，水泵开始运转，水泵本次运行时长
△
t
d1
＝6mh1/q分钟，到达时间水泵停止运行，以此类推，水泵第n次启动时的水位h
n
的计算公式为：h
n
＝h
(n
‑
1)
‑
0.0133h
(n
‑
1)
△
ch0；
46.若一个卤水循环周期尚未完成，卤水水位已经达到下一个启动水位，则立即启动下一个卤水循环周期，水泵第n次运行时长
△
t
d
＝(1
‑
0.0133
△
c)6mh0/q分钟，到达时间水泵停止运行；
47.当水泵开始运行后，活碴器上的计时器开始计时，当时间达到
△
t
h
时，活碴器开始启动后退向远端，达到远端行程开关时，活碴器变为向近端前进，直到达到近端行程开关
处，变向并停止运行，若此时水泵仍在运行，活碴器计时器再次开始计时，待时间再次达到
△
t
h
时，活碴器再次启动，完成另一次循环，以此类推；
48.当水泵运行后，盐浆泵计数器也开始计时，当时间达到
△
t
yd
时，盐浆泵启动，并运行
△
t
ys
这样一段时间停止，然后，盐浆泵计数器再次开始计时，完成另一次循环，如此往复循环当水泵运行一段时间后，且一个等待时间间隔
△
t
yd
，盐浆泵开始运行，待到达下一个等待时间间隔
△
t
yd
到达后盐浆泵再开始运行，以此类推，循环往复。
49.由于此工艺将蒸发过程与结晶过程分开，饱和卤水蒸发池只用于饱和卤水的蒸发，结晶过程则在盐田固定床内完成，固定床内的填充层盐种，在结晶过程中会很快固结成一个整体，阻止过饱和卤水的通过，使结晶过程中断，因而需要通过活碴器在固定床内设置的轨道上往返运行不断活碴，与此同时前端的推盐板8，会把产品推向固定床的水泵端，经水泵送入储盐槽，进一步集中，并将产品最终送往储存地点坨地；
50.卤水过饱和度形成的快慢与卤水蒸发速度有直接关联，通过水位传感器测定的池内水位变化状况，决定循环水泵运行起始时间和运行时长，反之通过改变卤水的循环速度即可控制卤水过饱和度的高低，因而即便结晶池卤水较浅，依旧保证产品盐质量，加之经过设置即可自动完成，因而劳动生产率必然会大幅度提高并使生产成本下降
51.以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。