京仪世纪：第1000台MCZ-6000HB型单晶炉下线

    2010年10月10日是一个值得让京仪世纪人难忘的日子！说它难忘，首先是因为“三连十”是百年一遇“十全十美”的大好日子；再有就是京仪世纪电子分公司总装生产线的员工们继日前实现月产量突破71台的最高记录后，国庆假期中，又创造了MCZ-6000HB型硅单晶炉达产第1000台的新纪录！

    MCZ-6000HB型硅单晶炉是针对 太阳能电池市场的需求而开发的高性能晶体生长炉。该炉采用直拉法生长单晶，提升结构类型为软轴提拉型。大规模生产太阳能级6?-8?硅单晶，在优化条件后也可生产IC级单晶。

    MCZ-6000HB型硅单晶炉的特点是，主室直径为900mm,可使用18?-22?热系统，最大投料量120kg，并可连续投料你20kg,可拉制6?-8?硅单晶，主要应于8?太阳能硅单晶拉制。真空度及洁净度按IC级别设计，也可用于集成电路硅材料的拉制。
    MCZ-6000HB系列硅单晶炉采用标准模块化部件系统集成设计而成。可以很方便地组成MCZ-6000HB基本型，也称半自动型。在满足太阳能硅单晶生产的基本要求下，追求成本最低，供企业在市场价格竞争中保持大批量生产中的低成本优势。

    同时均考虑安装水平电磁场的外形尺寸空间预留及相关功能部件增减。该设备采用卧式籽晶提升机构、翻板阀。MCZ-6000HB单晶炉总体高度在6.8米左右。

    电控制系统采用微机控制，功能全、精度高、稳定性好。本炉具有：温度自动控制系统、电机调速控制系统、光环法单晶直径自动控制系统（A型）、CCD单晶直径自动控制系统（C型）、单晶熔体自动跟随系统、配备坩埚跟踪数字显示功能。各拉晶有关参数包括籽晶轴、坩埚轴的转动速度、晶升和埚升速度、炉内压力等数据都采用数字显示仪表。能稳定的控制生长直径直径均匀的无位错单晶。

    电控制配置有电气柜及电源柜，使用、调整维修容易。炉室结构为顶开式，主炉室和副炉室开启时可上移。副炉室为筒式，炉盖及主炉室、副炉室均采用机械传动装置，上升到位后分别转开，悬挂在炉子外侧，便于拆装热场系统和清理炉内各部。主炉室和副炉室之间，设有隔离阀，可在保持坩埚温度的情况下取出晶体，更换籽晶，实现连续拉晶。具有各类自动联锁和安全措施。例如：主要部位冷却水温的检测与超温报警。籽晶轴、坩埚轴超程限位报警。电流过流保护等。