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FABSim三维工艺物理仿真模块
精准的三维工艺物理模拟工具。
◆ 模拟工艺流程生成的器件的三维模型,动画形式显示工艺过程;
◆ 支持绝大多数MEMS工艺仿真,包括:各向同性/异性淀积,各向同性/异性刻蚀,湿法刻蚀,键合,光刻以及CMOS工艺中的氧化/注入等;
◆ 高精度模式和快速模式两种仿真模式可选;
◆ Si DRIE和湿法各向异性刻蚀算法源自成熟的单工艺仿真算法模块,历经丰富的实践验证;
◆ 支持III-V族半导体(InP)等多种化合物半导体物理仿真工艺.
◆ 支持spray准各向同性湿法刻蚀工艺
◆ 基于GPU大规模并行计算
◆ 采用体素绘制技术,支持旋转、平移、缩放、剖面等功能
◆ 支持按工艺分层显示,方便观察器件内部结构信息;
◆ 支持PPT、AVI、JPG等多种格式输出。
FabSim™ - 快速工艺流程模拟
FabSimTM 使用户能够快速建立真实的物理模型,而不是使用传统方法创建的几何模型。
通过在IntelliSuite中系统地构建原型,您甚至可以在进入工厂之前快速识别流程缺陷,从而最终节省时间和金钱。工艺步骤与版图几何结构相结合,可用于构建最终的虚拟模型。
3D lithography physical simulation
3D Physical Simulation with Calibration
high index etch
Virtual Fabrication with FabSim
Wet Etching process in FabSim
DRIE process in FabSim
GPU acceleration level set advance algorithm
Process simulation at wafer level
The process simulation results can directly generate
the finite element model for device performance analysis
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模拟MEMS厚胶物理光刻工艺,采用物理仿真算法与物理模型精细反应SU8等厚胶光刻效果。 ◆ 支持影像成型、曝光、后烘、显影四大步骤模拟; ◆ 精细的曝光前后光照模型; ◆ 支持多层mask文件版图设置; ◆ 支持三维显示结果精细测量。
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基于三维体素操作的强大的工艺演示工具。 ◆ 动画形式显示工艺过程; ◆ 模拟任意工艺步骤后器件的三维模型; ◆ 支持绝大多数 MEMS 工艺仿真,包括:各向同性/异性淀积,各向同性/异性刻蚀,湿法刻蚀,键合,光刻以及 CMOS 工艺中的氧化/注入等; ◆ 采用体素图形学技术,更加逼真的演示三维复杂器件结构; ◆ 采用体绘技术,通过旋转、平移、缩放、剖面等功能用户可以查看器件内部信息; ◆ 利用几何算法更加逼真模拟淀积和刻蚀过程;
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先进的、基于自动控制的单元蚀刻仿真技术能够得到精确的<100>、<110>单晶硅晶片KOH和 TMAH 各向异性蚀刻仿真结果,还可用于复杂版图及长时间蚀刻。 ◆ 晶片的顶部、底部和双面蚀刻; ◆ 多重截止层和单一晶片上不同掩模的多次蚀刻; ◆ 体现未对齐掩模的影响,及补偿技术; ◆ 预测蚀刻剂温度、浓度及蚀刻时间对器件外形的影响; ◆ TMAH 和 KOH 蚀刻速率数据库,用户也可自定义蚀刻速率; ◆ 测定耦合各向异性蚀刻情况下垂直蚀刻的影响; ◆ 三维图形和横截面可视; ◆ 测量蚀刻后晶片任意两点间的距离和角度;
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