3月6日消息，据外媒报道，德州仪器正在将GaN（氮化镓）生产工艺从6英寸向8英寸过渡，以提高产能、获得成本优势。

德州仪器韩国总监Ju-Yong Shin表示，公司传统上采用6英寸工艺生产氮化镓半导体，达拉斯工厂有望在2025年之前过渡到8英寸工艺，日本会津工厂则正在将现有的硅基8英寸产线转换为GaN半导体产线。

据了解，德州仪器最近正在将其6英寸生产工艺转为8英寸，将8英寸生产工艺转为12英寸，以提高生产效率。8英寸晶圆的面积是6英寸晶圆的1.78倍，因此可以生产更多的半导体。12英寸晶圆的面积是8英寸晶圆的2.25倍。

Ju-Yong Shin表示，德州仪器传统上采用6英寸工艺生产氮化镓半导体，达拉斯工厂有望在2025年之前过渡到8英寸工艺。