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拟投资10亿元 | 长光华芯打造先进化合物半导体光电子平台

拟投资10亿元 | 长光华芯打造先进化合物半导体光电子平台

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  • 来源:
  • 发布时间:2023-01-04
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【概要描述】平台建设周期2年,计划2023年开工,2025年建成投产,平台建成后,将具备年产1亿颗芯片、500万器件的能力。研发和工艺平台具备支持全系列化合物半导体器件的研发和生产能力。

拟投资10亿元 | 长光华芯打造先进化合物半导体光电子平台

【概要描述】平台建设周期2年,计划2023年开工,2025年建成投产,平台建成后,将具备年产1亿颗芯片、500万器件的能力。研发和工艺平台具备支持全系列化合物半导体器件的研发和生产能力。

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12月27日,长光华芯全资子公司苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司与苏州科技城管理委员会签订项目投资合作协议,拟在太湖科学城新建先进化合物半导体光电子平台项目,项目总占地面积约 31 亩,投资总额约 10 亿元

 

本次签约项目围绕光电与化合物半导体开展业务拓展与投资孵化工作,对标国际顶尖水准,打造基于多种化合物半导体的光电与电子器件的材料、工艺以及封装技术开发的先进器件研发和产业化平台。

 

 

平台建设目标

平台建设周期2年,计划2023年开工,2025年建成投产,平台建成后,将具备年产1亿颗芯片、500万器件的能力。研发和工艺平台具备支持全系列化合物半导体器件的研发和生产能力。在目前国际领先的6吋化合物生产线基础上,推动研发硬件条件以及研发生产水平全面达到国际顶尖,具备多领域的国产器件与模块进口替代能力,全力构建政府、资本、产业、区域、研究所及企业、上下游创新协同、供应链互通的新一代中国激光国产化产业生态链,推动我国激光产业科技创新。

 

 

这次项目签约,是长光华芯全面贯彻公司“一平台、一支点、横向扩展、纵向延伸”发展战略的重要举措。一直以来,苏州长光华芯半导体激光创新研究院充分利用和发挥长光华芯半导体激光器芯片技术的领先性和辐射能力,吸引全球顶尖人才,汇聚相关高端产业,构建可持续发展的领先的研发平台,打造具有国际影响力的半导体激光器芯片及相关领域创新高地和产业基地。这与苏州高新区聚焦光子产业发展,推动产业链、资金链、人才链深度融合,以加速打造千亿级光子产业创新集群为目标,持续优化光子产业创新创业生态的发展目标不谋而合。

 

项目建设效果图

 

现阶段,我国光电子产业正处于“换道超车”的黄金十年,国家战略级的部署“引领”中国激光产业快速、健康发展。长光华芯聚焦光子关键核心技术攻关和科技成果转化,不断提升产品技术水平,增强市场竞争力,夯实中国激光产业链的基石与源头,促进激光产业繁荣发展,代表中国参与全球竞争。心所往,光所至。

 

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