- PA DC/DC
- LDO
- TVS
- TVS
- TVS
- OVP/OCP
- Battery Protection MOSFET
- MOSFET
- LTE LNA
- RF Switch
- RF Tuner
- GPS LNA
- USB Switch
- MIPI Switch
- Load Switch
PA DC/DC
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WD10721
产品特性： • 小封装BUCK • 通用性高 • SOT563 • PFM MODE • 2A buck
产品规格书 -
WD31089
产品特性： • 轻载高效 • 理想的瞬态响应 • 70uA静态电流 • 12V 7A boost
产品规格书
LDO
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WL2868C
产品特性： • DVDD支持1.2A • 96db@1khz • 7路LDO PMIC • 节省布板面积
产品规格书 -
WL2834C
产品特性： • CSP-6 • 输出电流1A • CSP小封装 • DVDD大电流供电
产品规格书 -
WL2863D
产品特性： • DFN1X1 • 100dB@1KHZ • 高PSRR LDO • 小封装节省布板面积
产品规格书 -
WL2848D
产品特性： • 高精度、低噪声、高PSRR • 最大输出电流: 300mA • 静态电流: 58μA Typ; • 关机电流: <1μA • Dropout电压: 149mV @ Iout=0.3A • PSRR: 74dB @ 1KHz, 58dB @ 1MHz, VOUT=2.8V • 低输出电压噪声: 15xVOUTμVrms
产品规格书
TVS
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ESD5431N
产品特性： • Stand-off voltage: ±3.3V • Max. Capacitance: CJ = 17.5pF typ. • Low leakage current: IR = 1nA typ. • Low clamping voltage: VCL = 8V typ. @ IPP = 16A (TLP) • 应用场合：低速I/Ox信号线
产品规格书 -
ESD5451N
产品特性： •截止电压VRWM： 5 V •漏 电 流 IR ： 0.1uA •钳位电压Vc: 10V •峰值电流 Ipp ： 8A •结电容 Cj : 17.5pF •封装类型 ： DFN1006-2L •低速I/O信号线
产品规格书
TVS
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ESD56281N04
产品特性： •截止电压VRWM： 4.85 V •漏 电 流 IR ： 0.1 uA •钳位电压Vc: 8.2 V ••峰值电流 Ipp ： 42A •封装类型 ： DFN1006-2L •应用场合：手机Vbus端口
产品规格书 -
ESD56351CN05
产品特性： • 截止电压VRWM： 5.0 V • 漏 电 流 IR ： 1 uA • 钳位电压Vc: 9 V • 峰值电流 Ipp ： 100 A • 封装类型 ： DWN1006-2L • 应用场合：手机Vbat端口
产品规格书 -
ESD56201D04
产品特性： • 截止电压VRWM： 4.85 V • 漏 电 流 IR ： 5uA • 钳位电压Vc: 10.5 V • 峰值电流 Ipp ： 120A • 封装类型 ： DFN1610-2L • 应用场合：手机Vbat端口
产品规格书 -
ESD56301D04
产品特性： 截止电压VRWM： 4.85 V 漏 电 流 IR ： 1uA 钳位电压Vc: 11 V 峰值电流 Ipp ： 180A 封装类型 ： DFN1610-2L 应用场合：手机Vbat端口
产品规格书
TVS
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ESD56241D15/18/22
产品特性： • 截止电压VRWM ：15/18/22V • 漏 电 流 IR ：1uA • 钳位电压Vc: 26/31/35V • 峰值电流 Ipp ：160/150/130A • 封装类型 ： DFN2020-3L • 应用场合：手机Vbus端口
产品规格书 -
ESD56161D24
产品特性： • 截止电压VRWM： 24 V • 漏 电 流 IR ： 1 uA • 钳位电压Vc: 27.5 V • 峰值电流 Ipp ： 170 A • 封装类型 ： DFN2020-3L • 应用场合：手机Vbus端口
产品规格书 -
ESD56161D30
产品特性： • 截止电压VRWM： 30 V • 漏 电 流 IR ： 1 uA • 钳位电压Vc: 31 V • 峰值电流 Ipp ： 175 A • 封装类型 ： DFN2020-3L • 应用场合：手机Vbus端口
产品规格书 -
ESD63091CN
产品特性： • 单路双向保护； • 高耐压值； • 低钳位电压； • 低结电容值； • 封装DWN1006; • 高速信号线防护; • VRWM=15V; • IPP=14A; • VC=20V; • VESD=30KV; • CJ=1.1PF; • 应用场合：手机D+D-信号线
产品规格书 -
ESD53101N
产品特性： • 截止电压VRWM： 5 V • 漏 电 流 IR ： 0.1uA • 钳位电压Vc: 10 V • 峰值电流 Ipp ： 10A • 结电容 Cj : 1.1pF • 封装类型 ： DFN1006-2L • 应用场合：手机D+D-信号线
产品规格书 -
ESD73031N
产品特性： • 截止电压VRWM： 5 V • 漏 电 流 IR ： 0.05uA • 钳位电压Vc: 9 V • 峰值电流 Ipp ： 11A • 结电容 Cj : 0.8pF • 封装类型 ： DFN1006-2L • 应用场合：手机D+D-信号线
产品规格书 -
ESD73411Z
产品特性： • 截止电压VRWM： 1.5 V • 漏 电 流 IR ： 1u A • 触发电压 Vtr : 4 V • 钳位电压Vc: 3 V • 峰值电流 Ipp ： 4.5 A • 结电容 Cj : 0.3 pF • 封装类型 ： DFN0603-2L • 用于手机TXRX信号线
产品规格书 -
ESD73311CZ
产品特性： • 截止电压VRWM： 3.3 V • 漏 电 流 IR ： 0.1uA • 钳位电压Vc: 5.5 V • 峰值电流 Ipp ： 20A • 结电容 Cj : 0.4pF • 封装类型 ： DWN0603-2L • 用于手机TXRX信号线
产品规格书 -
ESD56281N06
产品特性： • 截止电压VRWM： 6.3 V • 漏 电 流 IR ： 0.1uA • 钳位电压Vc: 9 V • 峰值电流 Ipp ： 35A • 结电容 Cj : 90pF • 封装类型 ： DFN1006-2L • 手机CC/SBU信号线
产品规格书 -
ESD56371N
产品特性： • 截止电压VRWM： 15 V • 漏 电 流 IR ： 0.05uA • 钳位电压Vc: 19.5V • 峰值电流 Ipp ： 22A • 结电容 Cj : 31pF • 封装类型 ： DFN1006-2L • 手机CC/SBU信号线
产品规格书
OVP/OCP
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WNM3602A
产品特性： SingleN-Channel, 30V,20.8A,Power MOSFET, 7.3 mΩ@VGS=4.5V
产品规格书 -
WNM3061
产品特性： Single N-Channel, 30V , 96A ,Power MOSFET, 3.6 mΩ@VGS=4.5V
产品规格书 -
WNM3065
产品特性： Sin gle N-Channel, 30V , 220A ,Power MOSFET, 1.8 mΩ@VGS=4.5V
产品规格书 -
WS3240C
产品特性： • 输入端具有28V高耐压 • 在 2.8V 到 23V 的输入电压范围内运行 • 支持 5A 的最大连续电流 • 内置的100v 浪涌保护 • 15mΩ的低内阻可有效减少线路损耗 • 一款带集成超低导通单沟道开关的 OVP • 兼容原有CSP-12焊盘产品，可实现快速替换迭代
产品规格书 -
WS4694C
产品特性： • 输入电压范围2.6v~5.5v，输出端耐高压：28v • 2.3A最大过流能力，0.05~2A可调限流范围 • 具备TRCB功能以及SCP保护功能 • CSP-9，0.4pitch小型化封装
产品规格书 -
WS4695C
产品特性： • 输入电压范围2.6v~5.5v，输出端耐高压：28v • 4A最大过流能力，0.1~3.5A可调限流范围 • 具备TRCB功能以及SCP保护功能 • CSP-12，0.4pitch小型化封装
产品规格书
Battery Protection MOSFET
MOSFET
LTE LNA
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WS7932DE
产品特性： • Gain 18dB • NF 0.8dB • IP1dB -10dBm • IIP3 1dBm • 18dB增益可明显改善接收灵敏度
产品规格书
RF Switch
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WS7822LE
产品特性： • IL 0.7dB@6GHz • ISO 15dB@6GHz • Pinmax 40dBm • HD2 -57@915MHz, Pin35dBm • HD3 -50@915MHz, Pin35dBm • 支持6GHz频段，支持1.8V/2.8V供电
产品规格书 -
WS7804LMA
产品特性： • IL 0.7dB@6GHz • ISO 15dB@6GHz • Pinmax 40dBm • HD2 -57dBm@915MHz, Pin35dBm • HD3 -50dBm@915MHz, Pin35dBm • 5G通用物料，高频性能更有优势
产品规格书 -
WS7872DE
产品特性： • IL 0.75dB@7.125GHz • ISO 15dB@7.125GHz • Pinmax 32dBm • HD2 -64dBm@915MHz, Pin25dBm • HD3 -52dBm@915MHz, Pin25dBm • 开关切换时间快，支持WIFI6E频段
产品规格书 -
WS7802LA
产品特性： • IL 0.45dB@6GHz • • ISO 22dB@6GHz • Pinmax 42dBm • HD2 -60dBm@915MHz, Pin35dBm • HD3 -60dBm@915MHz, Pin35dBm •高功率、高ESD性能、支持1.8/2.8V供电
产品规格书 -
WS7824LMB
产品特性： • IL 1.00dB@5GHz • ISO 25dB@5GHz • Pinmax 40dBm • HD2 -65dBm@915MHz, Pin35dBm • HD3 -55dBm@915MHz, Pin35dBm • 低插损、高隔离
产品规格书 -
WS7804LMB
产品特性： • IL 0.70dB@6GHz • ISO 40dB@6GHz • Pinmax 34dBm • HD2 -60dBm@915MHz, Pin35dBm • HD3 -60dBm@915MHz, Pin35dBm • 超高隔离度、物料稀缺
产品规格书
RF Tuner
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WS7844QA
产品特性： • Ron 1.2Ω • Coff 155fF • Vpeak 45V • HD2 -66dBm@915MHz, Pin35dBm • HD3 -60dBm@915MHz, Pin35dBm • 支持5G频段、支持8种模式
产品规格书 -
WS77441L
产品特性： • Ron 1.1Ω • Coff 140fF • Vpeak 45V • HD2 -70dBm@915MHz, Pin35dBm • HD3 -65dBm@915MHz, Pin35dBm • 支持shunt功能、高ESD性能
产品规格书 -
WS77481L
产品特性： • Ron 1.0Ω • Coff 190fF • Vpeak 55V • HD2 -68dBm@915MHz, Pin35dBm • HD3 -77dBm@915MHz, Pin35dBm • 高耐压、支持5G频段、高ESD性能
产品规格书 -
WS77881L
产品特性： • Ron 2.1Ω • Coff 210fF • Vpeak 80V • HD2 -86dBm@915MHz, Pin35dBm • HD3 -75dBm@915MHz, Pin35dBm 高耐压、支持5G频段、高ESD性能
产品规格书
GPS LNA
USB Switch
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WAS4780
产品特性： • 高耐压 • 高数据带宽 • 低失真、低串扰 • 小尺寸 • USB Switch带宽：950MHz • AUDIO Switch THD+N:-110dB • 接口侧引脚耐压 20V • 支持OMTP/CTIA 耳机检测
产品规格书 -
WAS7227Q
产品特性： • USB H-speed DPDT switch • 支持2.5v-5.5v供电范围 • -3dB带宽550MHz@Cl=5pf • 低静态功耗：Icc_max=1uA
产品规格书 -
WUSB3801Q
产品特性： • Typec CC logic识别 • 支持 GPIO & I2C 两种控制模式 • CC&Vbusd 耐高压（25v） • 支持SRC/SNK/DRP power mode • 支持deadbattery模式
产品规格书
MIPI Switch
Load Switch
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WS4632C
产品特性： • 输入电压范围支持1.1~5.5v • 28mΩ典型导通阻抗，2A过流能力 • 超低静态电流：100nA（典型值） • 低静态功耗：Icc 40ua_max • CSP-4，0.4pitch小型化封装
产品规格书