锑化镓单晶片GaSb
锑化镓（GaSb）是III-V族的镓和锑的半导体化合物。它具有约0.61nm的晶格常数。 得益于其电气、光学、热学等方面的特性，GaSb可用于红外探测器，红外LED和激光器和晶体管，以及热光电系统，在高量子效率及高频器件中拥有巨大的应用潜力。此外，锑化镓可用于具有定制光学和传输特性的超晶格，串联太阳能电池布置中的升压电池，用于提高光伏电池和高效热光伏 (TPV) 电池的效率。厦门中芯晶研可提供2”,3”,4”锑化镓单晶片。
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产品描述
在 III-V 半导体中具有较小的带隙，GaSb能带隙在室温下为 0.70 eV (1.77 μm)，在 4K 下为 0.81 eV (1.53 μm)，适用于工作在红外区域的光电器件和波长范围为 1-5 μm 的电子器件。我们可提供锑化镓晶片如下：
1. 锑化镓单晶片GaSb
2. 锑化镓材料特性
2.1 GaSb 化学性质
| 化学式 | GaSb |
| 分子量 | 191.483 g/mol |
| 带隙 | 0.726 eV |
| 带隙类型 | 间接 |
| 晶体结构 | 锌混合物 |
| 对称组 | Td2-F43m |
| 晶格常数 | 6.09593 埃 |
2.2 GaSb 电气性能
| 内在载体浓度 | 1.5×1012cm-3 |
| 电子迁移率 | ≤ 3000 cm2 V-1s-1 |
| 孔移动性 | ≤ 1000 cm2 V-1 s-1 |
| 电子扩散系数 | ≤ 75 cm2 s-1 |
| 空穴扩散系数 | ≤ 25 cm2 s-1 |
2.3 GaSb 热学、机械和光学性能
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机械性能 |
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| 熔点 | 712 °C |
| 密度 | 5.614 g cm-3 |
| 体积模量 | 5.63•1011 dyn cm-2 |
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热学性能 |
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| 导热系数 | 0.32 W cm-1 °C-1 |
| 热扩散率 | 0.23 cm2 s-1 |
| 热膨胀系数 | 7.75×10-6 °C-1 |
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光学性能 |
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| 折射率 (589 nm @ 293 K) | 3,8 |
| 辐射复合系数 (@ 300 K) | 10-10 cm3 s-1 |
注：从2023年8月1日起，出口该产品需要出口许可证；国内供应不受影响