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GaAs
砷化镓（化学式：GaAs）是由镓和砷两种元素合成的化合物。它是一种重要的IIIA族和V族复合半导体材料。
中科瑞晶根据客户需求，提供不同规格的砷化镓（GaAs）晶体材料。
使用/应用
砷化镓（GaAs）可用于制造微波集成电路、红外发光二极管、半导体激光器和太阳能电池。砷化镓常被用作III-V族半导体外延生长的基底材料，包括砷化铟镓、砷化铝镓等。
特点/优势
▪ 非常高的电子迁移率。
▪ 与硅电池相比，砷化镓电池对热相对不敏感。因此，它具有很高的热稳定性。
▪ 低噪音。
▪ 可在较宽的温度范围内工作。
▪ 效率高，抗辐射。
-
单晶
掺杂
导电类型
载流子浓度cm-3
位错密度cm-2
生长方法
最大尺寸
标准基片
GaAs
None
Si
/
<5×105
LEC
HB
Dia3″
Dia3″×0.5
Dia2″×0.5
Si
N
>5×1017
Cr
Si
/
Fe
N
~2×1018
Zn
P
>5×1017
尺寸（mm）
25×25×0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm
可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底
表面粗糙度
Surface roughness(Ra):<=5A
可提供原子粒显微镜（AFM）检测报告抛光
单面或双面
包装
100级洁净袋，1000级超净室
-
尺寸
25×25×0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm
可根据客户需求尺寸和晶向定制。
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