先艺电子|面向第三代半导体的低温烧结纳米银膏
以SiC和GaN为代表的第三代半导体材料也被称为宽禁带半导体材料，在高功率电子器件方面有着巨大的性能优势，对应功率器件可以在高温下长时间稳定工作，广泛应用于大功率、高可靠性要求的电动汽车、智能电网、轨道交通等领域。
为应对第三代半导体器件高功率密度及高服役温度，经过长期研发，先艺电子推出高导热低温烧结银膏XY-ASP-N250。产品烧结后为100% Ag，其烧结温度低至250℃，理论服役温度能达到961℃，无需压力辅助烧结，连接强度高，可替代现有的高铅焊料应用，且导电导热性能突出，相对于传统焊料能大大提高器件寿命，尤其契合电子电力领域的第三代半导体封装应用。
先艺的XY-ASP-N250烧结银膏采用独特的纳米银分散体系，符合RoHS环保要求，可提供5g，10g，15g，30g 等针筒式包装形式。可根据不同需求订制，供货迅速，充分满足客户的印刷或点胶工艺需求。
先艺低温烧结银膏特点
低温无压烧结
可在200℃以上长期服役
可达30MPa以上的芯片粘接强度
热导率可达到200W/m·K以上
无铅无卤，符合RoHS规范
先艺电子作为专业研发、生产、销售高端电子封装连接材料的领导品牌，可根据客户需求，提供适合不同应用场景的纳米银膏产品，为IGBT、高功率LED、射频功率器件等高功率封装领域的国产化替代助力。
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即将在深圳举办的第23届CIOE光博会上，先艺电子将携自主研发的纳米银膏产品亮相，欢迎广大客户朋友届时莅临指导！
2021年9月16-18日，第23届中国国际光电博览会，先艺电子诚邀您参加！
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