砷化镓是继硅之后研究最深入、应用最广泛的半导体材料。回答下列问题：
(1)As基态原子核外有________个未成对电子。
(2)Ga、As、Se的第一电离能由大到小的顺序是________。
(3)比较下列镓的卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因：____________________________________________________________________________________________。
| 镓的卤化物 | GaCl3 | GaBr3 | GaI3 |
| 熔点/℃ | 77.75 | 122.3 | 211.5 |
| 沸点/℃ | 201.2 | 279 | 346 |
(4)二水合草酸镓的结构如图1所示，其中镓原子的配位数为________，草酸根离子中碳原子的杂化轨道类型为________。
(5)砷化镓的立方晶胞结构如图2（其中灰球应为Ga）所示，晶胞参数为a＝0.565 nm，砷化镓晶体的密度为___________________________ g·cm－3(设NA为阿伏加德罗常数的值，列出计算式即可)。
答案
（12分）(1)3 (2)As>Se>Ga
(3)GaCl3、GaBr3、GaI3的熔、沸点依次升高，原因是它们均为分子晶体，相对分子质量依次增大
(4)4 sp2 (5)()
