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22398-80-7 磷化铟 结构式图片
22398-80-7 磷化铟 结构式图片
3D结构图 Mol 相似结构

22398-80-7 磷化铟

  • 中文名称:磷化铟
  • 英文名称: Indium phosphide
  • CAS No.: 22398-80-7
  • 分子式:InP 同分异构体
  • 分子量:145.792
  • EINECS号:244-959-5
  • 更新日期:2022-12-06 15:53
  美国有毒物质控制法案(TSCA)目录
名称和标识 我要纠错
中文别名
磷化铟粉磷化铟(III)磷化铟, 多晶块磷化铟晶体INP
英文别名
InPINDIUM(III) PHOSPHIDEIndium phosphide waferPhosphinidyneindium(III)Phosphinetriylindium(III)metel basisINDIUM PHOSPHIDE
CAS
22398-80-7
Inchi
InChI=1S/In.P
InChIkey
GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N
Canonical Smiles
P#[In]
国际化联命名
indiganylidynephosphane
物化属性 我要纠错
密度:4,787 g/cm3 熔点:1070°C 物理属性:磷化铟具有沥青光泽的深灰色晶体。熔点1070℃。熔点下离解压为2.75 Mpa。极微溶于无机酸。介电常数:10.8。电子迁移率:约4600 cm2/V?s。空穴迁移率:约150 cm2/V?s。具有半导体的特性。
磷化铟
磷化铟是重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料之一,是继硅(Si)、砷化镓(GaAs)之后的新一代微电子、光电子功能材料,其因电子迁移率高、禁带宽度大等特点,被广泛应用于微波及光电器件领域。
溶解性:Slightly soluble in acid
安全信息 我要纠错
危险品标志:T 安全说明编码 :24/25-45-53 危险品运输编号:3288 WGK Germany:3 RTECS号:NL1800000
生产方法及用途 我要纠错
用途 1、用作半导体材料,用于光纤通讯技术,需要1.1~1.6μm范围内的光源和接受器。在 InP衬底上生长In-GaAsP双异质结激光器既能满足晶格匹配,又能满足波长范围的要求。
生产方法 用高压单晶炉制备磷化铟单晶是最主要的方法,并用掺等电子杂质的方法降低晶体的位错密度。而气相外延,多采用In-PCl3-H2系统的歧化法,在该工艺中用铟(99.9999%)和三氯化磷(99.999%)之间的反应来生长磷化铟层。
气相外延将石英反应管放在双温区电炉中,已净化的高纯氢气经计量通入,氢气也用来稀释三氯化磷,此时彭泡器保持在0℃,通过反应管内的氢气线速度为14 cm/min。外延生长分为诱个阶段进行。
在第一阶段,将盛有铟的石英舟放在电炉中源区,通入氢气并加热到700~850℃,再用氢气将三氯化磷引入,在铟源上方被还原成磷蒸气和氯化氢。镉化氢与铟反应生成一氯化铟蒸气在管中迁移。磷溶解在铟中直至饱和为止。
在第二阶段,铟源保持在原位置不加热,单晶衬底放在电炉的第二加温区后,在氢气氛下加热到600~750℃。首先用氢气将三氯化磷引入到管内对衬底进行气相腐蚀,清洗衬底表面。再将氢气直接引入反应管,并把源加热到它的过饱和温度(在操作中此温度比衬底晶体的温度高100℃)。然后通过氢气鼓泡将三氯化磷引入,这时磷蒸气与在源区生成的一氯化铟反应,在衬底上淀积生长出磷化铟层。当外延生长完成后,向系统中通入纯氢气,将两个温区冷却到室温,取出产物,制得磷化铟成品。
MSDS SDS中文 SDS英文

第2部分 危险性概述

紧急情况概述:

可能致癌。长期或反复接触会对器官造成伤害。f。

GHS危险性类别:

致癌性 类别 1B

特异性靶器官毒性 反复接触 类别 1

生殖毒性 类别 2

标签要素:
象形图:
健康危害
警示词:

危险

危险性说明:

H350 可能致癌。

H372 长期或反复接触会对器官造成伤害。

H361f 。

防范说明:
  • 预防措施:
    • P201 使用前取得专用说明。
    • P202 在阅读并明了所有安全措施 前切勿搬动。
    • P280 戴防护手套/穿防护服/戴防 护眼罩/戴防护面具。
    • P260 不要吸入粉尘/烟/气体/烟雾/蒸气/喷雾。
    • P264 作业后彻底清洗。
    • P270 使用本产品时不要进食、饮 水或吸烟。
  • 事故响应:
    • P308+P313 如接触到或有疑虑: 求医/就诊。
    • P314 如感觉不适,须求医/就诊。
  • 安全储存:
    • P405 存放处须加锁。
  • 废弃处置:
    • P501 按当地法规处置内装物/容器。
物理和化学危险:
无资料
健康危害:
可能致癌。长期或反复接触会对器官造成伤害。f。
环境危害:
无资料
其他
化学性质 磷化铟具有沥青光泽的深灰色晶体。熔点1070℃。熔点下离解压为2.75 Mpa。极微溶于无机酸。介电常数:10.8。电子迁移率:约4600 cm2/V?s。空穴迁移率:约150 cm2/V?s。具有半导体的特性。
磷化铟
磷化铟是重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料之一,是继硅(Si)、砷化镓(GaAs)之后的新一代微电子、光电子功能材料,其因电子迁移率高、禁带宽度大等特点,被广泛应用于微波及光电器件领域。
类别 有毒物品 可燃性危险特性 高热产生有毒磷氧化物烟雾 储运特性 库房通风低温干燥 灭火剂 干粉、泡沫、砂土、二氧化碳, 雾状水 职业标准 TWA 0.1 毫克 (铟)/立方米
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